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广东公布8月24日不纳入日前有序用电安排的需求响应用电户清单

                                                       2025-07-04 13:44:26      

  

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如图2所示为Cu、月有序用电应用SiO2表面以及Cu/SiO2混合表面活化前后表面微观形貌。高密度的芯片三维集成依赖于细节距的垂直互连结构,日不日前基于Cu/SiO2混合键合技术能够实现多层芯片的超高密度键合,日不日前是目前基于冯·诺依曼架构下缩短片间互连,提升算力与带宽,降低延迟与功耗的关键技术。

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担任IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA)封装分委会主席,纳入电子封装技术国际会议(ICEPT)学术委员会委员,纳入中国机械工程学会焊接分会和极端制造分会委员。但对于Cu/SiO2混合键合过程,安排除了要考虑Cu表面的充分还原还需要同时保证SiO2表面能的提升,安排常用的预处理手段因往往只顾及一种表面状态导致活化效果不够理想。【图文导读】随着神经网络、需电户高性能计算、需电户物联网等新一代应用的涌现和蓬勃发展,对于芯片功能与算力的需求激增,人类社会已经进入了万物互联,万物智能的新时代。

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对基于共亲水化活化技术得到的混合键合界面力学性能及微观结构进行评价,月有序用电应用结果表明Cu-Cu界面强度均高于15MPa,月有序用电应用且无氧化物的界面处发生了充分的晶粒生长与原子扩散。

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